نمذجة ومحاكاة ذاكرة خزن لافولتائية باستخدام مركب كبريتيد النحاس Cu2S
الشريط الجانبي للمقالة
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
ان خلايا الخزن أصبحت من المكونات الأساسية لأجهزة الحاسوب, وخصوصا اللافولتائية منها وأحد انواعها الواعدة
مستقبلا هي خلايا الخزن ذات الخاصية الايونية والمعتمدة على نمو الفتيلة. في هذا البحث تم التركيز على استخدام هذا النوع من
الخلايا اللافولتائية ذات الوصول العشوائي من النوع الايوني باستخدام مركب كبريتيد النحاس وتم اقتراح نموذج بحيث يمكن من
خلاله التعرف على تصرف الخلية من حيث الفولتية والتيار. ومن هذا النموذج ايضا يمكن محاكاة هذه الخلية لكي تستنتج
المتغيرات التي تؤثر على تصرف الخلية واستخراج العوامل العديدة والتي من خلالها يمكن التعرف على مواصفاتها المثلى مثل
صغر الحجم واقل قدرة مستهلكة بنفس الوقت. أظهرت نتائج المحاكاة إن أفضل سمك للخلية هو بحدود 02 نانوميتر وبنصف
قطر مقداره 10 نانوميتر, وقد تبين إن هذه الإبعاد تكون نسبة مقاومتها وهي في حالة الإطفاء إلى حالة الإغلاق هي بحدود
1014
المقاييس
تفاصيل المقالة
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution 4.0 International License.
THIS IS AN OPEN ACCESS ARTICLE UNDER THE CC BY LICENSE http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
##plugins.generic.plaudit.displayName##
المراجع
- Chakravarthy Gopalan, Yi Ma, Tony Gallo, ”Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in Logic CMOS Process”, Adesto Technologies, 2010. DOI: https://doi.org/10.1109/IMW.2010.5488320
- MassoodTabib-Azar, and Yan Xie, ”Non-Volatile Solid-Electrolyte Memory Devices: Electronic versus Optical Latent Image Formation in Silver Halides, “Case Western Reserve University Cleveland, Ohio, 2006. DOI: https://doi.org/10.1149/1.2357268
- Waser, R., Dittmann, R., Staikov, G., and Szot, K., ”Redox-Based Resistive Switching Memories Nanoionic Mechanisms, Prospects, and Challenges”, Nano ionic Mechanisms, Prospects, and Challenges Adv. Mater. 21, 2632, 2009. DOI: https://doi.org/10.1002/adma.200900375
- Aono, M. and Hasegawa, T., ”The Atomic Switch”, IEEE Vol.98, No.6, pp 93-98, 2010. DOI: https://doi.org/10.1109/JPROC.2010.2061830
- Shimeng Yu, Student Member, ” Compact Modeling of Conducting-Bridge Random Access Memory (CBRAM)”, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 58, No. 5, May 2011. DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2011.2116120
- Michael Kund (1), Gerhard Beite l(1), ”Conductive Bridging RAM (CBRAM) An Emerging Non-volatile Memory Technology Scalable to Sub 20nm”, Infineon Technologies IEEE ,Vol. 60 ,No 8, pp 59-65, 2005.
- Patrick Sheridan, Kuk-Hwan Kim, “Device and SPICE Modeling of RRAM Devices”, The Royal Society of Chemistry, 2011. DOI: https://doi.org/10.1039/c1nr10557d
- Menzel, S., Klopstra, B., Kügeler, C., ”A Simulation Model of Resistive Switching in Electrochemical Metallization Memory Cells”, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1160 Materials Research Society, 2009. DOI: https://doi.org/10.1557/PROC-1160-H09-03
- Hamann, C. H., Hamnett, A., and Vielstich, W., ”Electrochemistry”, Wiley - VCH, Weinheim, 2007.
- Mott, N. F. and Gurney, R. W., “Electronic Processes in Ionic Crystals”, Oxford University Press, London, 1948.
- John G. Simmons, ”Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film”, ,Vol 85, No.90, pp 93-98, 1963.
- Youngseok Lim a, Young-Woo Ok a, ”Electrical Contact Properties of Cu2S Nano Wires Grown Vertically on Cu Foil by Gas Solid Reaction”, Current Applied Physics 9, 890–893, 2009. DOI: https://doi.org/10.1016/j.cap.2008.08.035
- Sang-Jun Choi, Yang, W. Y., Kim, K. H., ”Resistive Switching Property of Copper Sulfide and its Dependence on Electrode”, Electronic Materials Letters, Vol. 7, No. 4 , pp. 313-317, 2011. DOI: https://doi.org/10.1007/s13391-011-0190-z
- Ashour, A.,” The Physical Characteristics of Cu2S/CdS Thin-film Solar Cell”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Vol. 8, No. 4, pp. 1447–1451, 2006.